PECVD真空镀膜设备 双开门磁控溅射多弧离子镀复合 科源供应
| 起订量 | ≥1台 |
供货总量 100台
发货期限 自买家付款3日内发货
发货地 于洪区黄河北大街122号(1-18-6)
买家服务
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| 品牌 | 科源 | 功率 | 100W |
| 电镀位置 | 浸镀 | 用途 | 实验生产镀膜 |
| 镀种 | 镀银系列 | 优势 | 产品实用可靠，自动化程度高 |
| 真空室内腔尺寸 | φ700mm*H500mm | 工转机构 | 12面体公转转动装置 |
| 靶源 | 矩靶/圆靶/柱靶 | 加热方式 | 铠装加热器 |
| 电源 | DC电源/MF电源/RF电源 | 设备电源 | 三相 380V 50HZ |
| 真空系统 | 双极旋片泵+分子泵 | 设备冷却水 | 0.2-0.4Mpa |
| 空载极限真空 | 3.0x10 | 设备压缩空气 | 0.4-0.8Mpa |
| 空载恢复真空 | 3x10-3Pa≤10min | 设备重量 | 约1.0T |
产品详情
PRODUCT DETAILS
PEVCD(等离子增强化学气相沉积)最重要的应用之一是沉积微电子器件用绝缘薄膜，在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，这对于超大规模集成芯片的生产是至关重要的。
PECVD的一个重要优点是能在比热CVD更低的温度下沉积。PECVD技术在250～400度的温度范围内使氮化硅薄膜的沉积成为可能。
PECVD沉积SiO2绝缘层被广泛地应用于半导体器件工艺，最近在光学纤维的涂层和某些装饰性涂层方面获得了应用。近年来，PECVD在摩擦磨损、腐蚀防护和切削工具涂层应用方面获得了很大进展。
PECVD沉积设备参数
特殊的平板式φ200*H150反应室
系统极限真空1*10-5Pa
带加热和气浴喷淋系统
电源：13.56M Hz*300W / 40K Hz*600W / 双电源
数字定时器，精度1秒
数字温度控制系统
工艺程序自动化
触摸屏控制、动画实时显示工艺过程的状况和提示
质量流量计4个；气路4路 ( 可增选 )。
样品加热：30～600℃，控温精度：≤ ±1℃
强制循环水冷
欢迎新老客户前来咨询，最终报价由实际报价为准，产品优质，服务优质，价格优惠，期待您拨通电话！
